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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRD3900	20 AND 30 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES Description This range of fast recovery diodes is designed for applications in DC power supplies, inverters, choppers, ultrasonic system and for use as a free-wheeling diode. Features ■ Short reverse recovery time ■ Low stored charge ■ Wide current range ■ Excellent surge capabilities ■ Stu	IRF	IRF
IRD3900	Rectifiers Fast Recovery 文件：89.22 Kbytes Page：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
IRD3900	封装/外壳：DO-203AB，DO-5，接线柱包装：管件描述：DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AB 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	ETC 知名厂家	ETC
IRD3900	DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AB	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
3900	A minimum of 20 pounds (1.4 bar) of water pressure is required for regeneration valve to operate effectively 文件：3.95728 Mbytes Page：40 Pages	PENTAIR 滨特尔	PENTAIR
3900	Adafruit HalloWing M0 Express 文件：966.28 Kbytes Page：3 Pages	ADAFRUIT	ADAFRUIT
3900	100 x 100, PCB Two Row 文件：37.21 Kbytes Page：3 Pages	3M	3M
3900	TUBEAXIAL 文件：358.74 Kbytes Page：1 Pages	EBMPAPST 依必安派特	EBMPAPST
3900	AC axial compact fan 文件：292.91 Kbytes Page：4 Pages	EBMPAPST 依必安派特	EBMPAPST

IRD3900供应商更多...

更新时间：2026-3-1 16:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRD3902	IR	24+	DO-5	2		询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRD3900RM	IR	23+	MODULE	7000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRD3901	IR	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRD3900M	IR	22+	MODULE	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRD3900RM	IR	23+	MODULE	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IRD3900	Vishay General Semiconductor -	25+	DO-203AB(DO-5)	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市科雨电子有限公司	IRD3900	VISHAY	25+	DO-203	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价

IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8