| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRCP054 | HEXFETPOWERMOSFET 文件：226.69 Kbytes Page：8 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
LowPower,1MBdDigitalOptocoupler Description TheBroadcom®ACPL-M50L(single-channelinSO-5footprint),ACPL-054L(dual-channelinSO-8footprint),ACPL-W50L(single-channelinstretchedSO-6footprint),andACPL-K54L(dual-channelinstretchedSO-8footprint)arelowpower,low-inputcurrent,1MBddigitaloptocouplers. Featu | BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体 |  | | |
LowPower,1MBdDigitalOptocoupler Description TheBroadcom®ACPL-M50L(single-channelinSO-5footprint),ACPL-054L(dual-channelinSO-8footprint),ACPL-W50L(single-channelinstretchedSO-6footprint),andACPL-K54L(dual-channelinstretchedSO-8footprint)arelowpower,low-inputcurrent,1MBddigitaloptocouplers. Featu | BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体 | | | |
SchottkyBarrierDiode 文件：38.96 Kbytes Page：2 Pages | ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司 |  | | |
SchottkyBarrierDiode 文件：49.58 Kbytes Page：2 Pages | ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司 | | | |
SchottkyBarrierDiode 文件：50.13 Kbytes Page：2 Pages | ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ROHS |
TO-5P |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IR |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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IR |
23+ |
TO-3P |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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IR |
23+ |
TO-3P |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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IR |
23+ |
TO-3P |
47003 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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IR |
22+ |
TO-3P |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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2022-7-22IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
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2022-2-7IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
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2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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