位置：首页 > IC中文资料第6641页 > IRCC140
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
1/2 (12.7 mm) Single - Turn Wirewound Bushing Mount Type Precision Potentiometer FEATURES • Ohmic value range: 50 up to 20 k • Smallest size available: 12.7 mm • Mechanical stops on request • High torque and sealed versions available • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | ||
Mechanical stops on request 文件：90.76 Kbytes Page：3 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Temperature Sensors Line Guide 文件：736.09 Kbytes Page：11 Pages | Honeywell 霍尼韦尔 | | ||
RUGGED and LIGHTWEIGHT ALUMINUM BATTERY HOLDERS 文件：115.71 Kbytes Page：2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
THREADED INSERT, BLIND, REGULAR HEAD STYLE MEDIUM DUTY 文件：123.62 Kbytes Page：1 Pages | WITTEN | |
IRCC140产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRCC140
- 功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
MC |
24+ |
NA/ |
3280 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
JOHNSON |
2016+ |
SMD |
8096 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
EXAR |
23+ |
SOP |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
ELMOS |
22+ |
SOP28 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
TYCO/泰科 |
25+ |
SMD |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
ON |
SOP |
1 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
ALTERA/INTEL |
21+ |
原厂原封 |
2978 |
只做原装,质量保证 |
|||
TE/泰科 |
24+ |
NA |
16000 |
原装现货,专业配单专家 |
|||
2PAI SEMI/荣湃 |
23+ |
WB SOIC-16 |
12500 |
荣湃系列在售 |
IRCC140规格书下载地址
IRCC140参数引脚图相关
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IRCC140数据表相关新闻
IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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