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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRC830	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)	IRF	IRF
IRC830	Dynamic dv/df Rating 文件：202.94 Kbytes Page：9 Pages	IRF	IRF
IRC830	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRC830PBF	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220-5	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRC830PBF	Dynamic dv/df Rating 文件：202.94 Kbytes Page：9 Pages	IRF	IRF
830	Extra taps available upon request 文件：322.7 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
830	5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.72598 Mbytes Page：12 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
830	PC Mount, Shocksafe 5x20mm Fuses 文件：84.08 Kbytes Page：1 Pages	Littelfuse 力特	Littelfuse
830	ZERO ADJUSTMENT KNOB 文件：299.58 Kbytes Page：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
830	Precision Potentiometer 文件：158.35 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

IRC830供应商更多...

更新时间：2025-11-20 14:17:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿联芯电子科技有限公司	IRC830PBF	INFINEON/英飞凌	2023+	TO-220	4800	原厂全新正品旗舰店优势现货	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	IRC830	IR	23+	TO-22O-5L	65480		询价
深圳市威雅利发展有限公司	IRC830	IR	17+	TO-220-5	5000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRC830	IR	22+	TO-2205-PIN(HEXSENSE	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	IRC830	ir	24+	N/A	6980	原装现货,可开13%税票	询价
深圳市中联芯电子有限公司	IRC830	INFINEON/英飞凌	24+	TO-220	7800	全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	IRC830PBF	IR	25+	TO-220	54648	百分百原装现货实单必成欢迎询价	询价
深圳市华来深电子有限公司	IRC830	IR	23+	TO-220-	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRC830-007PBF	IR	23+	TO-220-5	21368	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRC830	IR	23+	TO-220	8000	只做原装现货	询价

IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8