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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRC830PBF | Dynamic dv/df Rating 文件：202.94 Kbytes Page：9 Pages | IRF |   | |
IRC830PBF | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220-5 | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Extra taps available upon request 文件：322.7 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.72598 Mbytes Page：12 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
PC Mount, Shocksafe 5x20mm Fuses 文件：84.08 Kbytes Page：1 Pages | Littelfuse 力特 | | ||
ZERO ADJUSTMENT KNOB 文件：299.58 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Precision Potentiometer 文件：158.35 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
IRC830PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRC830PBF
- 功能描述
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2205 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IR |
23+ |
TO-220-5 |
21368 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IR |
TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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IR |
25+23+ |
TO220 |
48469 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
IR |
23+ |
TO220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
TO-220 |
4800 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
|||
IR |
24+ |
NA/ |
5500 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
IR |
23+ |
TO-220-5 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-220-5 |
7000 |
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IR |
25+ |
TO-220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
IRC830PBF规格书下载地址
IRC830PBF参数引脚图相关
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IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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