型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRC730

Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=5.5A)

Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Dynamic dv/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Current Sense • Fast Switching • Ease

IRF

IRC730

Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=5.5A)

Infineon

英飞凌

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220-5

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

6A 400V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.76217 Mbytes Page:12 Pages

WXDH

东海半导体

700-Series SMP Products:

文件:499.34 Kbytes Page:5 Pages

3M

3M??700-Series SMP Products

文件:499.34 Kbytes Page:5 Pages

3M

GROMMETS , BUSHINGS

文件:362.45 Kbytes Page:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

6Amps竊?00V N-CHANNEL MOSFET

文件:280.71 Kbytes Page:6 Pages

KIA

可易亚半导体

IRC730产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRC730

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=5.5A)

更新时间:2025-12-12 16:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
25+23+
TO220
48468
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
Vishay Siliconix
22+
TO2205
9000
原厂渠道,现货配单
IR
TO-220
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
IR
23+
TO-220-5
21368
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
23+
TO-220-5
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IR
23+
TO-220-5
8000
专注配单,只做原装进口现货
IR
23+
TO-220-5
7000
IR
24+
NA/
375
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IR
24+
TO-2205-Pin(HEXSen
8866
IR/Vishay
25+
TO-TO-220-5
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

IRC730数据表相关新闻

  • IRF1404PBF

    进口代理

    2025-4-2
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
  • IR51H224-自激式半桥

    特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包(HD型) ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8