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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
IRC730	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=1.0ohm,Id=5.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •Dynamicdv/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •CurrentSense •FastSwitching •Ease	IRF International Rectifier
730	GROMMETS,BUSHINGS 文件：362.45 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商
730	700-SeriesSMPProducts: 文件：499.34 Kbytes Page：5 Pages	3M 3M Electronics
730	6A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：1.76217 Mbytes Page：12 Pages	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司
730	3M??700-SeriesSMPProducts 文件：499.34 Kbytes Page：5 Pages	3M 3M Electronics
730H	6Amps竊?00VN-CHANNELMOSFET 文件：280.71 Kbytes Page：6 Pages	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

IRC730供应商更多...

更新时间：2025-8-3 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRC730PBF	IR	24+	NA/	375	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	IRC730PBF	IR	2016+	TO-220-5	6528	房间原装进口现货假一赔十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	IRC730PBF	IR	25+23+	TO220	48468	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRC730	IR	24+	TO-2205-Pin(HEXSen	8866		询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	IRC730PBF	IR	21+	TO220	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRC730	IR	23+	TO-220-5	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRC730	IR	23+	TO220AB	7000		询价
深圳市威雅利发展有限公司	IRC730PBF	IR	0609+	TO-220	1600	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRC730	IR	22+	TO-2205-PIN(HEXSENSE	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRC730-008PBF	IR	23+	TO-220-5	21368	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价

IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8