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IRC160B

Battery Operated Portable

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Surface Mount TRANSZORB Transient Voltage Suppressors

FEATURES • Low profile package • Ideal for automated placement • Glass passivated chip junction • Available in uni-directional and bi-directional • 600 W peak pulse power capability with a 10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01 • Excellent clamping capability • Very fast r

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

1.3 Watts Axial Leaded Zener Diodes

VOLTAGE RANGE: 2.4 - 200V POWER: 1.3Wa t t s Features ● Complete Voltage Range 2.4 to 200 Volts ● High peak reverse power dissipation ● High reliability ● Low leakage current

SUNMATE

森美特

Rugged plastic case

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CDE

Fuse and Clip Assembly

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LINEAGEPOWER

The 160 Series product is a metal fuse clip with pre-installed Littelfuse 443 Series Fuse

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Littelfuse

力特

更新时间:2025-11-19 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
EVERLIGHT/亿光
25+
SMD
65428
百分百原装现货 实单必成
EVERLIGHT/亿光
24+
SMD
880000
明嘉莱只做原装正品现货
EVERLIGHT/亿光
2450+
SMD
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
IOR
2025+
TO220-5
3645
全新原厂原装产品、公司现货销售
EVERLIGHT
25+23+
SMD
25882
绝对原装正品全新进口深圳现货
IR
24+
TO220-5
2500
EVERLIGHT/亿光
23+
SMD
75232
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
INFINEON
23+
7000
MEAN WELL
2235
con
5
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格

IRC160B芯片相关品牌

IRC160B数据表相关新闻

  • IRF1404PBF

    进口代理

    2025-4-2
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
  • IR51H224-自激式半桥

    特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包(HD型) ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8