| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
1/2 (12.7 mm) Single - Turn Wirewound Bushing Mount Type Precision Potentiometer FEATURES • Ohmic value range: 50 up to 20 k • Smallest size available: 12.7 mm • Mechanical stops on request • High torque and sealed versions available • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | ||
RUGGED and LIGHTWEIGHT ALUMINUM BATTERY HOLDERS 文件：115.71 Kbytes Page：2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
THREADED INSERT, BLIND, REGULAR HEAD STYLE MEDIUM DUTY 文件：123.62 Kbytes Page：1 Pages | WITTEN | | ||
Temperature Sensors Line Guide 文件：736.09 Kbytes Page：11 Pages | Honeywell 霍尼韦尔 | | ||
Mechanical stops on request 文件：90.76 Kbytes Page：3 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
4525 |
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价 |
||||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
182881 |
一级代理，原装现货 |
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ST/意法 |
25+ |
BGA |
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ST/意法全新特价14071F0B1F5D21即刻询购立享优惠#长期有货 |
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R&S |
23+ |
QFN |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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ST |
23+ |
N-MOSFET/120A/75V/TO-22 |
860 |
正迈科技原装现货授权代理主营:IC电容.二三级管原装 |
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24+ |
N/A |
75000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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INT |
25+ |
18 |
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N/A |
23+ |
6000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
||||
PPG |
23+ |
DIP-16 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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TE/泰科 |
26+ |
NA |
360000 |
只有原装 |
IRC140芯片相关品牌
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IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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