型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

GLASS PASSIVATED RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 8.0 Ampere FEATURES · Glass passivated chip junction · Low power loss, high efficiency · Low leakage · High current capacity, high surge capacity · High temperature soldering guaranteed · 200℃/10 second,0.16”(4.06mm)lead length from

MIC

昌福电子

PRESSFIT RECTIFIER DIODES

Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below.

IRF

PRESSFIT RECTIFIER DIODES

Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below.

IRF

PRESSFIT RECTIFIER DIODES

Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below.

IRF

PRESSFIT RECTIFIER DIODES

Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below.

IRF

更新时间:2025-12-15 16:12:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
24+
NA
35000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
ST/意法
25+
NA
16
全新原装正品支持含税
ST
23+
QFP48
16900
正规渠道,只有原装!
ST
26+
QFP48
60000
只有原装 可配单
ST
16+
BGA
2500
进口原装现货/价格优势!
IR
23+
B-47PP
8000
只做原装现货
IR
23+
B-47PP
7000
ST
2511
QFP48
16900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
VIS
24+
100
vishay
23+
NA
256
专做原装正品,假一罚百!

IR8AF2RPP数据表相关新闻

  • IRF1404PBF

    进口代理

    2025-4-2
  • IR3889MTRPBF

    The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案,可提供高效的电力传输。此外,它采用快速恒定导通时间(COT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速控制

    2023-11-13
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
  • IR51H224-自激式半桥

    特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包(HD型) ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8