| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Pseudo inductance for telephones The BA8201 and BA8201F are ICs with a choke coil action, capable of extracting the DC current from a telephone line while maintaining a high inductance on the telephone line side. This eliminates the need for a choke coil, and facilitates use of the telephone set line in a variety of applications. | ROHM 罗姆 |   | ||
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances, re | POLYFET | | ||
18W BTL x 2CH AUDIO POWER AMPLIFIER 文件：488.37 Kbytes Page：11 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
18W BTL x 2CH AUDIO POWER AMPLIFIER 文件：488.37 Kbytes Page：11 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
BTL AUDIO POWER AMPLIFIER 文件：413.12 Kbytes Page：8 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG |
24+ |
TSOP |
10 |
||||
POLYFET |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
NULL |
2447 |
SSOP8 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
SAMSUNG |
22+ |
TSOP |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
POLYFET |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
SEIKO |
99+ |
TSSOP/8 |
764 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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POLYFET |
18+ |
SO8 |
3128 |
原装进口假一罚十 |
|||
SAMSUNG |
23+ |
TSOP |
10 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
HARWIN |
23+ |
SMD |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
POLYFET |
23+ |
高频管 |
1200 |
专营高频管模块,全新原装! |
IR8201芯片相关品牌
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IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2IR3889MTRPBF
The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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