型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IR8200B

3A,55VDMOSH-BRIDGE

PowerIntegratedCircuits 3A,55VDMOSH-BRIDGE

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

4700

文件:48.7 Kbytes Page:1 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1

T3/DS3/E3/STS-1Input/OutputTransformers

文件:144.89 Kbytes Page:1 Pages

FILTRAN

FILTRAN Group

FILTRAN

3MDSubPlugPlugConnector

文件:800.9 Kbytes Page:4 Pages

3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M

MSDBlasterCoil

文件:301.39 Kbytes Page:2 Pages

MALLORYMallory Sonalert Products Inc.

马洛里马洛里MALLORY

MALLORY

ELECTRICALLYCONDUCTIVEDIEATTACHADHESIVE

文件:345.15 Kbytes Page:3 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2

IR8200B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR8200B

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    3A, 55V DMOS H-BRIDGE

更新时间:2024-6-17 17:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF
2020+
原厂封装
350000
100%进口原装正品公司现货库存
22+
5000
IR
13+
SOT223
400
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
21+ROHS
SOP-8
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
07+
TO263-2.5
1000
IR
22+
SOT-223
2987
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!
IR
2020+
ZIP-11
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
VBSEMI
19+
WDFN6
29600
绝对原装现货,价格优势!
IR
23+
SOT-223
9960
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询
IR
23+
SSOP
5000
原装正品,假一罚十

IR8200B芯片相关品牌

  • ALLIED
  • DIODES
  • EATON
  • etc2
  • HARTING
  • Littelfuse
  • MERITEK
  • MOLEX1
  • NSC
  • RALTRON
  • SUMIDA
  • TEC

IR8200B数据表相关新闻

  • IR3889MTRPBF

    TheIR3889OptiMOSTM系列IPOL是一款易于使用、完全集成的DC-DC降压稳压器。IR3889具有板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™MOSFET是一种小尺寸解决方案,可提供高效的电力传输。此外,它采用快速恒定导通时间(COT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速控制

    2023-11-13
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

    2020-4-18
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
  • IR51H224-自激式半桥

    特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包(HD型)·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8