型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

50 Ohm Wireless Transmission Coax, RF 200, RG58, 17 AWG Solid BC, Foil 95% TC Braid, PE Jkt

Product Description 50 Ohm Wireless Transmission Coax, RF 200, RG58, 17 AWG Solid Bare Copper Conductor, PE Insulation, Duofoil® + 95% Tinned Copper Braid Shield, PE Jacket

BELDEN

百通

RF 200 Wireless Coax, RG58, #17, CMR/CMG

Product Description RF 200, RG-58 type, 17 AWG solid .044 bare copper conductor, gas-injected foam HDPE insulation, Duofoil® (100% coverage); tinned copper braid shield (95% coverage), PVC jacket.

BELDEN

百通

RovNav Mk4 LBL Transceiver (Discontinued)

文件:99.02 Kbytes Page:2 Pages

SONARDYNE

Sonardyne sound in depth

RG-58 type, 17 AWG solid .044 bare copper conductor, gas-injected foam HDPE insulation

文件:102.29 Kbytes Page:3 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

Low-Power, 16-Bit, Sampling CMOS ANALOG-to-DIGITAL CONVERTER

文件:526.93 Kbytes Page:24 Pages

BURR-BROWN

更新时间:2025-8-6 17:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
2017+
DIP
28562
只做原装正品假一赔十!
IOR
2023+
SOP8
50000
全新原装现货
KEC
21+
120000
长期代理优势供应
LD
23+
TO-220
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
ST
6000
面议
19
TO-220
ST
25+
TOP220
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
ST
23+
TO-220
9562
KeystoneElectronics
5
全新原装 货期两周
24+
5000
公司存货
IOR
2025+
SOP8
4825
全新原厂原装产品、公司现货销售

IR7807A数据表相关新闻

  • IRF1404PBF

    进口代理

    2025-4-2
  • IR3889MTRPBF

    The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案,可提供高效的电力传输。此外,它采用快速恒定导通时间(COT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速控制

    2023-11-13
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
  • IR51H224-自激式半桥

    特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包(HD型) ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8