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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
IRF7534D1	FETKYMOSFET&SchottkyDiode(Vdss=-20V,Rds(on)=0.055ohm,SchottkyVf=0.39V) Description TheFETKYfamilyofco-packagedMOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.InternationalRectifierutilizesadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7534D1PBF	MOSFETSCHOTTKYDIODE Description TheFETKYfamilyofco-packagedMOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.InternationalRectifierutilizesadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

IR7534D1供应商更多...

更新时间：2024-6-25 10:40:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳赋能华科电子有限公司	IRF7534D1TR	IR	22+	SSOP8	2960	诚信交易大量库存现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF7534D1PBF	Infineon Technologies	22+	8TSSOP 8MSOP	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	IRF7534D1PBF	Infineon Technologies	21+	8TSSOP 8MSOP	13880	公司只售原装,支持实单	询价
深圳市艾宇特电子科技有限公司	IRF7534D1TR	IR	2052+	MSOP8	6542	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	IRF7534D1TR	IR	2016+	MSOP8	6528	只做进口原装现货!假一赔十!	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRF7534D1PBF	IR	21+		65230		询价
深圳市易讯博科技有限公司	IRF7534D1PBF	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	IRF7534D1PBF	IR		SOP8	6000	原装现货,长期供应,终端可账期	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	IRF7534D1TR	IR	22+	MSOP8	360000	进口原装房间现货实库实数	询价
深圳市英卓尔科技有限公司	IRF7534D1TR	IR	20+	SSOP8	2960	诚信交易大量库存现货	询价

IR3889MTRPBF
TheIR3889OptiMOSTM系列IPOL是一款易于使用、完全集成的DC-DC降压稳压器。IR3889具有板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™MOSFET是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8