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Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=0.0065ohm, Id=16A)

Benefits ● Ultra-Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Low Charge and Low Gate Impedance to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency DC-DC Converters with Synchronous Rectification

IRF

30V N-Channel MOSFET

 High Frequency DC-DC Converters with Synchronous Rectification  Lead-Free Applications Features (VGS = 10V) VDS (V) =30V ID = 16 A RDS(ON)

UMW

友台半导体

Barbed Y connector with restrictor

文件:80.23 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:427.67 Kbytes Page:5 Pages

AnalogPower

Sigfox Sub-GHz Microcontroller

文件:3.21975 Mbytes Page:218 Pages

ROHM

罗姆

更新时间:2025-12-27 11:35:01
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