| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
GROMMETS,BUSHINGS 文件：362.45 Kbytes Page：1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 |  |   | |
WihaQualityToolsSlottedBits 文件：303.45 Kbytes Page：1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | | | |
CONTROLB횁SICOYECON횙MICODELRELOJFECHADORELECTR횙NICO 文件：702.85 Kbytes Page：2 Pages | PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团 |  | | |
10A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：1.67134 Mbytes Page：12 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 |  | | |
GENERALPURPOSEBARATRONCAPACITANCEMANOMETERS 文件：167.85 Kbytes Page：4 Pages | MKS MKS Instruments. |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI |
19+ |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
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SILAN/士兰微 |
22+ |
TO-220-3L |
150000 |
挂的就有,常备现货 |
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QTC |
22+ |
DIP6 |
10000 |
原装正品,支持实单 |
|||
PINREX |
2122+ |
CONN |
9880 |
只做原装优势渠道可开增值税票 |
|||
TF(拓锋) |
2112+ |
PDFN3X3-8L |
115000 |
5000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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Molex |
1922+ |
6900 |
只做进口原装品质决定一切价格优惠 |
||||
TI/德州仪器 |
23+ |
DIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
TI/德州仪器 |
2022+ |
SO14 |
14 |
||||
WAGO |
瑞智芯 只做原装 |
460 |
|||||
C&K |
21+ |
插件 |
35000 |
航宇科工半导体-央企合格优秀供方 |
IR740芯片相关品牌
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IR3889MTRPBF
TheIR3889OptiMOSTM系列IPOL是一款易于使用、完全集成的DC-DC降压稳压器。IR3889具有板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™MOSFET是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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