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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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CommonModeEMIInductors [J.W.Miller] SpecialFeatures •ReduceconductiveEMIemission •Highcurrentcapacity •Highimpedanceatlowfrequency •Dielectricstrength3750VRMS •CoilwoundonVW-1ratedplasticcasedferritecore •Operatingtemperature-55to+105°C | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | |||
FIBRECHANNELDualTransformer FIBRECHANNELDualTransformer •Designedforusewith75ΩCoaxialor150ΩSTPCable •Fastrisetimeandlowbaselinewander | FILTRAN FILTRAN Group | |||
CommonModeEMIChokes SpecialFeatures •ReduceconductiveEMIemission •Highcurrentcapacity •Highimpedanceatlowfrequency •Dielectricstrength3750Vrms •CoilwoundonUL94V-0ratedplasticcasedferritecore •Operatingtemperature-55to+105°C | BournsBourns Inc. 伯恩斯(邦士) | |||
7000SERIES/HIGHRELIABILITYREEDRELAYS 文件:1.39554 Mbytes Page:4 Pages | COTO 科特 | |||
DualTransformer 文件:410.28 Kbytes Page:1 Pages | APITECH API Technologies Corp |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FREESCA |
21+ |
HSSOP36 |
35400 |
全新原装现货/假一罚百! |
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FREESCALE |
22+ |
HSSOP36 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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PATENTED |
23+ |
NA/ |
6375 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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FREESCALE |
22+ |
HSSOP36 |
354000 |
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FREESCA |
2023+ |
HSSOP36 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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ADI/亚德诺 |
22+ |
66900 |
原封装 |
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MILL-MAX |
22+ |
NA |
10000 |
绝对全新原装现货热卖 |
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PATENTED |
NA |
608900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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MILL-MAX |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
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infineon |
08+ |
TO263-5 |
1000 |
IR7104TRPBF规格书下载地址
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2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF
IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包(HD型)·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使
2013-2-8
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