| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. 2 Features ● Fast Switching ● Low ON Resistance(Rdso | WXDH 东海半导体 |   | ||
Fast switching Features • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability Application • DC Motor Control and Class D Amplifier • Uninterruptible Power Supply (UPS) • Automotive | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
Fast switching Features · Fast switching · 100 avalanche tested · Improved dv/dt capability Application · DC Motor Control and Class D Amplifier · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Automotive | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Low Frequencies 文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages | OSCILENT | | ||
COMPACT DIGITAL THERMOMETERS & THERMO-HYGROMETERS 文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOKO |
23+ |
2220 |
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专做原装正品,假一罚百! |
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24+ |
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新 |
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全新原装 货期两周 |
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SIS |
23+ |
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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GOFORD(谷峰) |
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TO-251(I-PAK) |
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GOFORD |
10 |
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GOFORD |
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原装 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
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GOFORD/谷峰 |
24+ |
TO252 |
60000 |
全新原装现货 |
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IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2IR3889MTRPBF
The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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