| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Fast Switching • FEATURES • Drain Current ID= 3A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.0Ω (Max) • Fast Switching • APPLICATIONS • Switching power supplies,converters,AC and DC motor controls | ISC 无锡固电 |   | ||
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 3N50K-MK is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avala | UTC 友顺 | | ||
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 3N50K-MK is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avala | UTC 友顺 | | ||
3 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：173.79 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：181.85 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UTC/友顺 |
23+ |
TO-252 |
34533 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
UTC/友顺 |
2022+ |
TO-220F |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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UTC/友顺 |
20+ |
TO-220F |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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U |
TO-220F |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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UTC/友顺 |
2022+ |
10 |
全新原装 货期两周 |
IR3N50规格书下载地址
IR3N50参数引脚图相关
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2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
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2020-1-12IR3840MTRPBF正品原装品质假一赔十
瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
DdatasheetPDF页码索引
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