| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DUAL TMOS POWER MOSFET 60 VOLTS Medium Power Surface Mount Products TMOS Dual N-Channel Field Effect Transistors Dual HDTMOS are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature low RDS(on) and true logic level performance. Dual HDTMOS de | MOTOROLA 摩托罗拉 |   | ||
N?묬hannel SO??, Dual Power MOSFET 文件：276.07 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 3 Amps, 60 Volts N?묬hannel SO??, Dual 文件：52.47 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：140.84 Kbytes Page：3 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：163.79 Kbytes Page：3 Pages | UTC 友顺 | |
| 替换型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Integrated Circuit Low Power, Narrow Band, FM IF System | NTE | NTE | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
20+ |
SO-8 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
SO-8 |
20000 |
只做原装 |
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MAGLAYERS |
23+ |
SMD被动器件正迈科技 |
800000 |
MMD-04AB-1R0M-V1原装现货自己库存 |
|||
MARKI |
2540+ |
8595 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
||||
ON/安森美 |
新年份 |
SO-8 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
25+ |
SOIC8 |
20000 |
原装 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SOP-8 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
Marki microwave |
24+ |
N/A |
4500 |
Marki优势渠道 |
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Rf-bay |
24+ |
模块 |
400 |
||||
ON |
22+ |
SOIC8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
IR3N06规格书下载地址
IR3N06参数引脚图相关
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- ITT1352
- ITT1330
- ITA7609P-2
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2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
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2020-1-12IR3840MTRPBF正品原装品质假一赔十
瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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