位置:首页 > IC中文资料第6063页 > MMDF3N06VL
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MMDF3N06VL | Power MOSFET 3 Amps, 60 Volts N?묬hannel SO??, Dual 文件:52.47 Kbytes Page:4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
Power MOSFET 3 Amps, 60 Volts N?묬hannel SO??, Dual 文件:52.47 Kbytes Page:4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
DUAL TMOS POWER MOSFET 60 VOLTS Medium Power Surface Mount Products TMOS Dual N-Channel Field Effect Transistors Dual HDTMOS are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature low RDS(on) and true logic level performance. Dual HDTMOS de | Motorola 摩托罗拉 | |||
N?묬hannel SO??, Dual Power MOSFET 文件:276.07 Kbytes Page:12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
N -C hannel E nhancem ent M ode Field E ffect Transistor 文件:620.45 Kbytes Page:7 Pages | ADV 爱德微 | |||
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件:1.79899 Mbytes Page:5 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 |
MMDF3N06VL产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMDF3N06VL
- 制造商
ONSEMI
- 制造商全称
ON Semiconductor
- 功能描述
Power MOSFET 3 Amps, 60 Volts N−Channel SO−8, Dual
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SOP8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ON/安森美 |
新年份 |
SO-8 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
|||
O |
24+ |
SO-8 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
MOT |
2025+ |
SOP8 |
3550 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
SO-8 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
VBSEMI |
23+ |
SO-8 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SO-8 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ON |
20+ |
SO-8 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
SO-8 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SO-8 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
MMDF3N06VL规格书下载地址
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2019-11-30MMDJ-65608EV-30MQ静态随机存取存储器
制造商: Microchip 产品种类: 静态随机存取存储器 存储容量: 128 kbit 访问时间: 30 ns 电源电压-最大: 5.5 V 电源电压-最小: 4.5 V 电源电流—最大值: 110 mA 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: Flatpack-32 数据速率: SDR 类型: Asynchronous 商标
2019-11-29
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