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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
UT3N06

Trench Power MOSFET  (N-CH)

The UTC UT3N06 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be genera lly applied in the commercial and industrial fields. • Simple drive requirement;

UTC

友顺

UT3N06

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：140.84 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

UT3N06

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：163.79 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

UT3N06L-AE3-R

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Battery Switch • DC/DC Converter

VBSEMI

微碧半导体

UT3N06-Q

3.0A, 60V N-CHANNEL POWER

 DESCRIPTION The UTC UT3N06 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields.  FEATURES * RDS(ON) ≤ 110 mΩ @ VGS=10V, ID=3.0A RDS(ON) ≤ 150 mΩ @ VGS

UTC

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UT3N06_11

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UTC

友顺

UT3N06_15

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UTC

友顺

UT3N06G-AB3-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UTC

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UT3N06G-AE3-R

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：1.03338 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

UT3N06G-AE3-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UTC

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UT3N06G-AE3-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UTC

友顺

UT3N06G-TM3-T

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UT3N06G-TN3-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UT3N06G-TN3-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UT3N06G-TN3-T

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UT3N06L-AE3-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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友顺

UT3N06L-TM3-T

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：241.18 Kbytes Page：4 Pages

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UT3N06L-TM3-T

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.33363 Mbytes Page：4 Pages

DOINGTER

杜因特

UT3N06L-TN3-R

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：674.94 Kbytes Page：5 Pages

DOINGTER

杜因特

UT3N06L-TN3-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：241.18 Kbytes Page：4 Pages

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UT3N06L-TN3-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UTC

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UT3N06L-TN3-T

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：163.79 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

UT3N06-Q

Trench Power MOSFET  (N-CH)

UTC

友顺

MMDF3N06HD

DUAL TMOS POWER MOSFET 60 VOLTS

Medium Power Surface Mount Products TMOS Dual N-Channel Field Effect Transistors Dual HDTMOS are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature low RDS(on) and true logic level performance. Dual HDTMOS de

MOTOROLA

摩托罗拉

MMDF3N06HD

N?묬hannel SO??, Dual Power MOSFET

文件：276.07 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMDF3N06VL

Power MOSFET 3 Amps, 60 Volts N?묬hannel SO??, Dual

文件：52.47 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

UT3N06产品属性

  • 类型

    描述

  • VGS(±V)：

    ±20

  • ID(A)：

    3

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：

    90

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V：

    120

  • CISSTYP.(pF)：

    460

  • COSSTYP.(pF)：

    42

  • CRSSTYP.(pF)：

    28

  • QgTYP.(nC)：

    17

  • QgsTYP.(nC)：

    2.8

  • QgdTYP.(nC)：

    3

  • VGS(th)(V)MIN.：

    1

  • VGS(th)(V)MAX.：

    3

  • Package：

    SOT-23-3_SOT-23_SOT-26_SOT-223_TO-92_SOT-89_TO-220_TO-220F_TO-251_TO-252_PDFN3×3_PDFN5×6_SOP-8

UT3N06供应商更多...

更新时间：2026-5-19 11:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市美思瑞电子科技有限公司
UT3N06G-AE3-R
友顺 UTC
21+
SOT-23
58000
原装正品，实单请联系
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富凯科技(深圳）有限公司
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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TO-251
32360
UTC/友顺全新特价UT3N06L-TM3-T即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市富利微电子科技有限公司
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SOT-89
33500
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深圳市勤思达科技有限公司
UT3N06G-AE3-R
UTC
2024
SOT23
12287
全新原装正品,现货销售
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深圳市鑫炜纳电子有限公司
UT3N06G-AE3-R
UTC
2021+
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深圳市科恒伟业电子有限公司
UT3N06G
UTC/友顺
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深圳市讯顺达科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
UT3N06L-AE3-R
UTC/友顺
20+
SOT-23
120000
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深圳市恒凯威科技开发有限公司
UT3N06G
UTC/友顺
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SOT-89
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