| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DUAL TMOS POWER MOSFET 3.0 AMPERES 20 VOLTS Medium Power Surface Mount Products TMOS Dual N-Channel Field Effect Transistors MiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density HDTMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. Th | Motorola 摩托罗拉 | |||
SINGLE TMOS POWER MOSFET 4.0 AMPERES 20 VOLTS RDS(on) = 0.040 OHM Medium Power Surface Mount Products TMOS Single N-Channel Field Effect Transistor Micro8™ devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density HDTMOS process to achieve lowest possible on–resistance per silicon area. They are capable of withstanding high ene | Motorola 摩托罗拉 | |||
Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts N-Channel SO-, DuaL 文件:127.05 Kbytes Page:12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
N?묬hannel Power MOSFET 文件:304.57 Kbytes Page:12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
20V N?묬hannel MOSFET 文件:283.87 Kbytes Page:6 Pages | WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
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2022-2-7IRA-S210ST01
IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF
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2018-12-28IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包(HD型) ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使
2013-2-8
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