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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)

Applications • High frequency DC-DC converters Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

IRF

HEXFET Power MOSFET

Applications • High frequency DC-DC converters • Plasma Display Panel • Lead-Free Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalan

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N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

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更新时间:2025-12-31 23:00:01
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