IR2302价格

参考价格:¥9.9688

型号:IR2302PBF 品牌:International 备注:这里有IR2302多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IR2302批发/采购报价,IR2302行情走势销售排行榜,IR2302报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IR2302

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIR2302(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT

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英飞凌英飞凌科技公司

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IR2302

Gatedrivesupplyrangefrom5to20V

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IR2302

HALF-BRIDGEDRIVER

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HALF-BRIDGEDRIVER

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InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon
IR2302

封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 包装:卷带(TR) 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路(IC) 栅极驱动器

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIR2302(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT

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IRF

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIR2302(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT

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HALF-BRIDGEDRIVER

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HALF-BRIDGEDRIVER

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

Gatedrivesupplyrangefrom5to20V

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2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz

GENERALDESCRIPTION The2302isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding2WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealedpa

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz

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GHZTECHGHz Technology

GHz Technology

GHZTECH

P-CHANNELMOSFETN-CHANNELMOSFET

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KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

20VN-ChannelEnhancementMOSFET

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FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.

富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

NylonHoseClamps

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Heyco

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IR2302产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR2302

  • 功能描述

    IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关

  • 系列

    -

  • 标准包装

    50

  • 系列

    -

  • 配置

    高端

  • 输入类型

    非反相

  • 延迟时间

    200ns 电流 -

  • 250mA

  • 配置数

    1

  • 输出数

    1 高端电压 -

  • 最大(自引导启动)

    600V

  • 电源电压

    12 V ~ 20 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    8-DIP(0.300,7.62mm)

  • 供应商设备封装

    8-DIP

  • 包装

    管件

  • 其它名称

    *IR2127

更新时间:2024-5-13 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2020+
DIP-8
8000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
Infineon Technologies
23+
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
27301
英飞凌电源管理芯片-原装正品
INFINEON
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IR
22+
SOP-8
9800
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
IOR
23+
PLCC
18000
Infineon Technologies
21+
8DIP
13880
公司只售原装,支持实单
INFINEON/英飞凌
21+
SOP-8
2500
全新、原装
IR
18+
DIP8
10480
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票
INFINEON/英飞凌
24+
SOP-8
159850
明嘉莱只做原装正品现货
IR
22+
原厂封装
6315
原装正品,实单请联系

IR2302芯片相关品牌

  • AIMTEC
  • ANPEC
  • AZETTLER
  • BELDEN
  • CYSTEKEC
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  • HONGFA
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  • SANYOU
  • SENSORTECHNICS
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IR2302数据表相关新闻

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    2020-11-9
  • IR2304STRPBF,IR3080MTRPBF,IR3037ATRPBF,IR2184STRPBF

    IR2304STRPBF,IR3080MTRPBF,IR3037ATRPBF,IR2184STRPBF

    2020-1-10
  • IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货!

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-5-6
  • IR2302-高端和低端驱动器

    说明在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定

    2013-2-9
  • IR2233-3相桥驱动器

    特点•浮动通道设计为引导操作充分运作,以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说

    2013-2-9
  • IR21834-半桥驱动器

    说明在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠

    2013-2-9