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IR2302SPBF价格

参考价格：￥9.6050

型号：IR2302SPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IR2302SPBF多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IR2302SPBF批发/采购报价，IR2302SPBF行情走势销售排行榜，IR2302SPBF报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
IR2302SPbF	HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2302(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2302SPBF	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC）栅极驱动器	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
2302	2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz GENERALDESCRIPTION The2302isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding2WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealedpa	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
2302	2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz 文件：78.97 Kbytes Page：2 Pages	GHZTECHGHz Technology GHz Technology
2302	P-CHANNELMOSFETN-CHANNELMOSFET 文件：110.94 Kbytes Page：4 Pages	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
2302	20VN-ChannelEnhancementMOSFET 文件：310.86 Kbytes Page：2 Pages	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
2302	NylonHoseClamps 文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages	Heyco Heyco

IR2302SPBF产品属性

类型
描述
型号
IR2302SPBF
功能描述
功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 5 to 20V 540ns
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SOIC-8
封装
Tube

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更新时间：2024-5-14 20:01:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市安罗世纪电子有限公司	IR2302SPBF	International Rectifier	2023+	8-SOIC	2570	安罗世纪电子只做原装正品货	询价
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IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
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特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
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说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
2013-2-9

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