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芯片资料

参考价格：￥9.6050

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IR2302SPbF	HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2302(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTT	IRF	IRF
IR2302SPBF	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC）栅极驱动器	Infineon 英飞凌	Infineon
2302	2.0 Watt - 20 Volts, Class C Microwave 2300 MHz GENERAL DESCRIPTION The 2302 is a COMMON BASE transistor capable of providing 2 Watts Class C, RF output power at 2300 MHz. Gold metalization and diffused ballasting are used to provide high reliability and supreme ruggedness. The transistor uses a fully hermetic High Temperature Solder Sealed pa	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2302	2.0 Watt - 20 Volts, Class C Microwave 2300 MHz 文件：78.97 Kbytes Page：2 Pages	GHZTECH	GHZTECH
2302	P-CHANNEL MOSFET N-CHANNEL MOSFET 文件：110.94 Kbytes Page：4 Pages	KIA 可易亚半导体	KIA
2302	20V N-Channel Enhancement MOS FET 文件：310.86 Kbytes Page：2 Pages	FUMAN 富满微	FUMAN
2302	Nylon Hose Clamps 文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages	HeycoHeyco. 海科	Heyco

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更新时间：2025-8-15 23:00:00

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IR2184STRPBF 栅极驱动器
IR2184STRPBF
2024-11-20
IR2184STRPBF原厂原标，现货
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2024-8-1
IR2E34代理渠道，进口原装
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2020-11-9
IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
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2020-1-10
IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。... 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从5至20V •欠压锁定
2013-2-9
IR2233-3相桥驱动器
特点 •浮动通道设计为引导操作充分运作，以600 V或1200 V 耐瞬态电压负 dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态 •所有通道欠压锁定 •过电流关闭关闭所有六名司机 •独立的3个半桥式驱动器 •匹配的所有通道传播延迟 •兼容2.5V的逻辑 •产出与投入的逐步淘汰 •也可用无铅说
2013-2-9