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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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封装/外壳:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |||
Indoor/OutdoorStadiumCable,RG-11/UTriax,14AWGsolid,CMR ProductDescription RG-11/UTriax,14AWGsolid.064barecopperconductor,gas-injectedfoamHDPEinsulation,barecopperdoubleshields(95and80coverage),PVC insulationbetweenbraids,waterblockingtape,CPEjacket,CMRrated | BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司 | |||
1chSmallPackageHighSideSwitchICsforUSBDevicesandMemoryCards GeneralDescription BD2232GandBD2233GarelowON-ResistanceN-ChannelMOSFEThigh-sidepowerswitches,optimizedforUniversalSerialBus(USB)applications.BD2232GandBD2233Gareequippedwiththefunctionofover-currentdetection,thermalshutdown,under-voltagelockoutandsoft-start. Fe | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | |||
INTERCONNECTBATTERYHOLDERS 文件:355.08 Kbytes Page:1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | |||
SnapBushings 文件:106.76 Kbytes Page:1 Pages | HeycoHeyco. 海科 | |||
Ultra-powerCMOSDualOutputUnipolarHallEffectSwitch 文件:1.19754 Mbytes Page:3 Pages | MATMaster Analog Technology CO. 美斯特类比美斯特类比科技有限公司 |
IR2233STR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2233STR
- 功能描述
功率驱动器IC 3Phs Drvr Sep Hi&Lw Side Input 200ns
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOP-28-300mil |
1612 |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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Infine |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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IR |
22+ |
SOIC-28 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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IR |
17+ |
SOP28 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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IR |
23+ |
SOP28 |
8000 |
原装正品,假一罚十 |
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Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源! |
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IR |
24+ |
SOP28 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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Infineon(英飞凌) |
2447 |
SOIC-28 |
315000 |
1000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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IR |
23+ |
SOP28 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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IR |
23+ |
SOP28 |
7000 |
IR2233STR规格书下载地址
IR2233STR参数引脚图相关
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2020-1-10IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作,以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9
DdatasheetPDF页码索引
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