型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IR2233STRPBF

封装/外壳:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

Indoor/OutdoorStadiumCable,RG-11/UTriax,14AWGsolid,CMR

ProductDescription RG-11/UTriax,14AWGsolid.064barecopperconductor,gas-injectedfoamHDPEinsulation,barecopperdoubleshields(95and80coverage),PVC insulationbetweenbraids,waterblockingtape,CPEjacket,CMRrated

BELDEN

Belden Inc.

BELDEN

1chSmallPackageHighSideSwitchICsforUSBDevicesandMemoryCards

GeneralDescription BD2232GandBD2233GarelowON-ResistanceN-ChannelMOSFEThigh-sidepowerswitches,optimizedforUniversalSerialBus(USB)applications.BD2232GandBD2233Gareequippedwiththefunctionofover-currentdetection,thermalshutdown,under-voltagelockoutandsoft-start. Fe

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

INTERCONNECTBATTERYHOLDERS

文件:355.08 Kbytes Page:1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

SnapBushings

文件:106.76 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

Heyco

Heyco

1.3ACurrentLimitHighSideSwitchICs

文件:902.56 Kbytes Page:27 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

IR2233STRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR2233STRPBF

  • 功能描述

    功率驱动器IC 3Phs Drvr Sep Hi&Lw Side Input 200ns

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-22 16:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
23+
28SOIC
9000
原装正品,支持实单
IR
23+
PQFP
18000
IOR
19+
SOP28
5050
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
23+
SOP28
8000
原装正品,假一罚十
IOR
23+
SOP28
30000
代理全新原装现货,价格优势
Infineon Technologies
23+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
Infineon(英飞凌)
1921+
SOIC-28
3575
向鸿仓库现货,优势绝对的原装!
InternationalRectifier
2022
ICDRIVER3PHASE28-SOIC
5058
原厂原装正品,价格超越代理
IR
0623+
SOP28
6000
绝对原装自己现货
IR
17+
SOP28
6200
100%原装正品现货

IR2233STRPBF芯片相关品牌

  • API
  • APITECH
  • BOARDCOM
  • crydom
  • Hitachi
  • IDT
  • LUGUANG
  • MOLEX4
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  • POWEREX
  • SILABS
  • SUPERWORLD

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    2020-11-9
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    IR2304STRPBF,IR3080MTRPBF,IR3037ATRPBF,IR2184STRPBF

    2020-1-10
  • IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货!

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-5-6
  • IR2302-高端和低端驱动器

    说明在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定

    2013-2-9
  • IR2233-3相桥驱动器

    特点•浮动通道设计为引导操作充分运作,以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说

    2013-2-9
  • IR21834-半桥驱动器

    说明在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠

    2013-2-9