型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IR2233STRPBF

封装/外壳:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

Infineon

英飞凌

Indoor/Outdoor Stadium Cable, RG-11/U Triax, 14 AWG solid, CMR

Product Description RG-11/U Triax, 14 AWG solid .064 bare copper conductor, gas-injected foam HDPE insulation, bare copper double shields (95 and 80 coverage), PVC insulation between braids, water blocking tape, CPE jacket, CMR rated

BELDEN

百通

1ch Small Package High Side Switch ICs for USB Devices and Memory Cards

General Description BD2232G and BD2233G are low ON-Resistance N-Channel MOSFET high-side power switches, optimized for Universal Serial Bus (USB) applications. BD2232G and BD2233G are equipped with the function of over-current detection, thermal shutdown, under-voltage lockout and soft-start. Fe

ROHM

罗姆

INTERCONNECT BATTERY HOLDERS

文件:355.08 Kbytes Page:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Snap Bushings

文件:106.76 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

Ultra-power CMOS Dual Output Unipolar Hall Effect Switch

文件:1.19754 Mbytes Page:3 Pages

MAT

美斯特类比

IR2233STRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR2233STRPBF

  • 功能描述

    功率驱动器IC 3Phs Drvr Sep Hi&Lw Side Input 200ns

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 15:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
2021+
SOIC-28
499
IR
22+
SOIC-28
8000
原装正品支持实单
Infineon Technologies
25+
28-SOIC(0.295 7.50mm 宽)
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IR
25+
PQFP
18000
原厂直接发货进口原装
IR
17+
SOP28
6200
100%原装正品现货
IR
0623+
SOP28
6000
绝对原装自己现货
Infineon(英飞凌)
2447
SOIC-28
315000
1000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
IR
23+
SOP28
8000
专注配单,只做原装进口现货
IR
23+
SOP28
7000
Infineon Technologies
24+
28-SOIC
65200
一级代理/放心采购

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    说明 在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。... 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从5至20V •欠压锁定

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    特点 •浮动通道设计为引导操作 充分运作,以600 V或1200 V 耐瞬态电压负 dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和 高达25V的瞬态 •所有通道欠压锁定 •过电流关闭关闭所有六名司机 •独立的3个半桥式驱动器 •匹配的所有通道传播延迟 •兼容2.5V的逻辑 •产出与投入的逐步淘汰 •也可用无铅 说

    2013-2-9