型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IR22141SSTRPBF

封装/外壳:24-SSOP(0.209",5.30mm 宽) 包装:散装 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP 集成电路(IC) 栅极驱动器

Infineon

英飞凌

HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC

Description The IR2214SS/IR22141SS) is a gate driver suited to drive a single half bridge in power switching applications. The high gate driving capability (2A source, 3A sink) and the low quiescent current enable bootstrap supply techniques in medium power systems. The IR2214SS/IR22141SS drive

IRF

HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC

Description The IR2214SS/IR22141SS) is a gate driver suited to drive a single half bridge in power switching applications. The high gate driving capability (2A source, 3A sink) and the low quiescent current enable bootstrap supply techniques in medium power systems. The IR2214SS/IR22141SS drive

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HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC

Description The IR211(4,41)/IR221(4,41) gate driver family is suited to drive a single half bridge in power switching applications. These drivers provide high gate driving capability (2 A source, 3 A sink) and require low quiescent current, which allows the use of bootstrap power supply technique

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IR22141SSTRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR22141SSTRPBF

  • 功能描述

    功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr IC for Pwr Swtch App

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-8 10:46:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
Infineon Technologies
25+
24-SSOP(0.209 5.30mm 宽)
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IR
06/08+
SSOP24
16203
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
04+/05+
SOP28
202
全新原装100真实现货供应
Infineon Technologies
22+
24SSOP
9000
原厂渠道,现货配单
InternationalRectifier
23+
24-SSOP
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
INFINEON/英飞凌
23+
SSOP-20
89630
当天发货全新原装现货
IR
20+
SSOP24
2960
诚信交易大量库存现货
IR
24+
SSOP20
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
IR
1709+
SSOP24
25300
普通

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  • IR2233-3相桥驱动器

    特点 •浮动通道设计为引导操作 充分运作,以600 V或1200 V 耐瞬态电压负 dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和 高达25V的瞬态 •所有通道欠压锁定 •过电流关闭关闭所有六名司机 •独立的3个半桥式驱动器 •匹配的所有通道传播延迟 •兼容2.5V的逻辑 •产出与投入的逐步淘汰 •也可用无铅 说

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  • IR2302-高端和低端驱动器

    说明 在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。... 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从5至20V •欠压锁定

    2013-2-9