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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IR22141SSTRPBF | 封装/外壳:24-SSOP(0.209",5.30mm 宽) 包装:散装 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP 集成电路(IC) 栅极驱动器 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | ||
HALF-BRIDGEGATEDRIVERIC Description TheIR2214SS/IR22141SS)isagatedriversuitedtodriveasinglehalfbridgeinpowerswitchingapplications.Thehighgatedrivingcapability(2Asource,3Asink)andthelowquiescentcurrentenablebootstrapsupplytechniquesinmediumpowersystems.TheIR2214SS/IR22141SSdrive | IRF International Rectifier | |||
HALF-BRIDGEGATEDRIVERIC Description TheIR2214SS/IR22141SS)isagatedriversuitedtodriveasinglehalfbridgeinpowerswitchingapplications.Thehighgatedrivingcapability(2Asource,3Asink)andthelowquiescentcurrentenablebootstrapsupplytechniquesinmediumpowersystems.TheIR2214SS/IR22141SSdrive | IRF International Rectifier | |||
HALF-BRIDGEGATEDRIVERIC Description TheIR211(4,41)/IR221(4,41)gatedriverfamilyissuitedtodriveasinglehalfbridgeinpowerswitchingapplications.Thesedriversprovidehighgatedrivingcapability(2Asource,3Asink)andrequirelowquiescentcurrent,whichallowstheuseofbootstrappowersupplytechnique | IRF International Rectifier | |||
HALF-BRIDGEGATEDRIVERIC 文件:721.64 Kbytes Page:34 Pages | IRF International Rectifier | |||
HALF-BRIDGEGATEDRIVERIC 文件:721.64 Kbytes Page:34 Pages | IRF International Rectifier |
IR22141SSTRPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR22141SSTRPBF
- 功能描述
功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr IC for Pwr Swtch App
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
2020+ |
SSOP24 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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IR |
23+ |
NA/ |
7312 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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IR |
06/08+ |
SSOP24 |
16203 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IR |
23+ |
12+ |
29536 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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Infineon/英飞凌 |
19+ |
68000 |
原装正品价格优势 |
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IR |
0619+ |
SSOP24 |
6000 |
绝对原装自己现货 |
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InternationalRectifier |
2022 |
ICDVRHALFBRIDGEIC24SSOP |
5058 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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IR |
17+ |
SSOP24 |
9700 |
绝对原装正品现货假一罚十 |
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IR |
17+ |
SSOP24 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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IR |
2022 |
SSOP24 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
IR22141SSTRPBF规格书下载地址
IR22141SSTRPBF参数引脚图相关
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- IR2304S
- IR2304
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瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-6IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作,以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
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