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IR22141SSPBF	HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC Description The IR211(4,41)/IR221(4,41) gate driver family is suited to drive a single half bridge in power switching applications. These drivers provide high gate driving capability (2 A source, 3 A sink) and require low quiescent current, which allows the use of bootstrap power supply technique	IRF	IRF
IR22141SSPBF	HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC 文件：721.64 Kbytes Page：34 Pages	IRF	IRF
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IR22141SSPBF	封装/外壳：24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）包装：卷带（TR）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP 集成电路（IC）栅极驱动器	Infineon 英飞凌	Infineon
IR22141SSPBF	HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC	Infineon 英飞凌	Infineon
IR22141	HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC Description The IR2214SS/IR22141SS) is a gate driver suited to drive a single half bridge in power switching applications. The high gate driving capability (2A source, 3A sink) and the low quiescent current enable bootstrap supply techniques in medium power systems. The IR2214SS/IR22141SS drive	IRF	IRF
IR22141SS	HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC Description The IR2214SS/IR22141SS) is a gate driver suited to drive a single half bridge in power switching applications. The high gate driving capability (2A source, 3A sink) and the low quiescent current enable bootstrap supply techniques in medium power systems. The IR2214SS/IR22141SS drive	IRF	IRF

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更新时间：2026-1-1 15:16:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宇创芯科技有限公司	IR22141SSPBF	IR	24+	SSOP-24	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
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深圳市豪迈兴电子有限公司	IR22141SSPBF	IR	24+	SSOP-24	5825	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	IR22141SSPBF低压MOS管	IR	23+	SSOP	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	IR22141SSPBF	Infineon Technologies	24+	原装	5000	原装正品,提供BOM配单服务	询价

IR2184STRPBF 栅极驱动器
IR2184STRPBF
2024-11-20
IR2184STRPBF原厂原标，现货
IR2184STRPBF原厂原标，现货
2024-8-1
IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
2020-1-10
IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-6
IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。... 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从5至20V •欠压锁定
2013-2-9
IR2233-3相桥驱动器
特点 •浮动通道设计为引导操作充分运作，以600 V或1200 V 耐瞬态电压负 dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态 •所有通道欠压锁定 •过电流关闭关闭所有六名司机 •独立的3个半桥式驱动器 •匹配的所有通道传播延迟 •兼容2.5V的逻辑 •产出与投入的逐步淘汰 •也可用无铅说
2013-2-9