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DUAL-MODE CDMA/AMPS OR TDMA/AMPS 3V POWER AMPLIFIER

Product Description The RF2152 is a high-power, high-efficiency linear amplifier IC targeting 3V handheld systems. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in dual-mode 3V CD

RFMD

威讯联合

12-bit, 30MSOS ADC

DESCRIPTION The WM2152 is a high speed 12-bit analogue-to-digital converter operating on a 3.3V supply. This device includes a high bandwidth sample and hold and internal voltage references. Conversion is controlled by a single clock input. FEATURES • 12-bit resolution ADC • 30MSPS conversion

WOLFSONWolfson Microelectronics plc

欧胜欧胜微电子股份有限公司

12-bit, 30MSOS ADC

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WOLFSONWolfson Microelectronics plc

欧胜欧胜微电子股份有限公司

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PANASONIC

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更新时间:2026-5-24 11:30:01
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    2024-12-2
  • IR21531S原装现货英飞凌价格优势

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  • IR2166STRPBF全新原装现货

    可立即发货

    2019-9-24
  • IR2136STRPBF公司大量原装正品现货/随时可以发货

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    2019-4-25
  • IR2136-3相桥驱动器...

    说明 该IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368公司(J&S)的高votage,高速功率MOSFET与三个独立的高,低侧IGBT驱动器中引用3相应用程序的输出渠道。专有的HVIC技术使整体建筑加固。逻辑输入与CMOS兼容或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。一个电流脱扣功能,终止所有六个输出可从外部电流检测电阻。使能功能可终止所有六个输出同时进行。一个漏极开路的故障信号,表明提供过流或欠压关断发生。过流故障条件被清除后自动编程,通过一个外部RC网络的延迟连接到RCIN输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低

    2013-2-9
  • IR2151S-半桥驱动器。劳在与RT阶段。可编程振荡频率。 1.2us死区时间在8引脚SOIC封装

    特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •欠压锁定 •可编程振荡器频率1.4(逆转录75Ω)CT检查 •匹配的两个通道传播延迟 •低侧输出在第二阶段,用RT 说明 该IR2151是一种高电压,高速度,自激功率MOSFET和IGBT驱动器,带有两 高,低侧参考输出通道。专有HVIC和免疫技术的CMOS锁存使整体加固施工。前面高端功能的可编程振荡器类似于有555定时器。输出驱动器具

    2013-2-9