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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IR2151PBF | SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2151 is a high voltage, high speed, self-oscillating power MOSFET and IGBT driver with both high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The front end features a programmable oscillat | IRF |   | |
IR2151PBF | 封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路（IC） 栅极驱动器 | INFINEON 英飞凌 | | |
SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER SELF–OSCILLATING HALF–BRIDGE DRIVER TheMPIC2151 is a high voltage,high speed, self–oscillating power MOSFET andIGBT driver with bothhigh side and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologiesenable ruggedized monolith ic construction. The front–end f | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
FULL AUTOMATIC MULTISTANDARD CHROMA DECODER WITH EMBEDDED CHROMA DELAY LINE DESCRIPTION The STV2151 integrates in a single chip every circuitry to deliver the Y, R-Y, B-Y signals starting from a CVBS or Y/C signals. It can process PAL, SECAM and NTSC standards. | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
MONAURAL POWER AMP. & HEADPHONE POWER AMP. IC 文件：132.87 Kbytes Page：9 Pages | NJRC 日本无线 | | ||
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IR2151PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2151PBF
- 功能描述
功率驱动器IC
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2026+ |
DIP8 |
54658 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
IR |
26+ |
PLCC84 |
890000 |
一级总代理商原厂原装大批量现货
一站式服务 |
|||
IR |
24+ |
65230 |
|||||
IR |
21+ |
DIP8 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
|||
IR |
22+ |
DIP-8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
IR |
25+ |
DIP8 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
8DIP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IR |
01+ |
DIP8 |
2110 |
全新 发货1-2天 |
|||
IR |
17+ |
DIP8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
INFINEON/ |
NA |
16355 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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IR2151PBF规格书下载地址
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特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •欠压锁定 •可编程振荡器频率1.4（逆转录75Ω）CT检查 •匹配的两个通道传播延迟 •低侧输出在第二阶段，用RT 说明 该IR2151是一种高电压，高速度，自激功率MOSFET和IGBT驱动器，带有两 高，低侧参考输出通道。专有HVIC和免疫技术的CMOS锁存使整体加固施工。前面高端功能的可编程振荡器类似于有555定时器。输出驱动器具
2013-2-9IR2136-3相桥驱动器...
说明 该IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368公司（J＆S）的高votage，高速功率MOSFET与三个独立的高，低侧IGBT驱动器中引用3相应用程序的输出渠道。专有的HVIC技术使整体建筑加固。逻辑输入与CMOS兼容或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。一个电流脱扣功能，终止所有六个输出可从外部电流检测电阻。使能功能可终止所有六个输出同时进行。一个漏极开路的故障信号，表明提供过流或欠压关断发生。过流故障条件被清除后自动编程，通过一个外部RC网络的延迟连接到RCIN输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低
2013-2-9
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