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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IR2151 | SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2151 is a high voltage, high speed, self-oscillating power MOSFET and IGBT driver with both high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The front end features a programmable oscillat | IRF |   | |
IR2151 | SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2151 is a high voltage, high speed, self-oscillating power MOSFET and IGBT driver with both high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The front end features a programmable oscillat | IRF | | |
IR2151 | 封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm） 包装：散装 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路（IC） 栅极驱动器 | Infineon 英飞凌 | | |
SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2151 is a high voltage, high speed, self-oscillating power MOSFET and IGBT driver with both high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The front end features a programmable oscillat | IRF | | ||
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IR2151产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2151
- 功能描述
IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 系列
-
- 标准包装
50
- 系列
-
- 配置
高端
- 输入类型
非反相
- 延迟时间
200ns 电流 -
- 峰
250mA
- 配置数
1
- 输出数
1 高端电压 -
- 最大（自引导启动）
600V
- 电源电压
12 V ~ 20 V
- 工作温度
-40°C ~ 125°C
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
8-DIP（0.300，7.62mm）
- 供应商设备封装
8-DIP
- 包装
管件
- 其它名称
*IR2127
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
SOP-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
IR |
24+ |
NA/ |
3865 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
IR |
25+ |
DIP8 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
原厂 |
专业光耦 |
DIP8 |
65800 |
光耦原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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IOR |
04+ |
DIP |
2360 |
全新原装进口自己库存优势 |
|||
IR |
2018+ |
DIP8 |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
|||
IR |
07+ |
SOP8 |
16800 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IR |
23+ |
NA |
750 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
|||
IR |
22+ |
SOP8 |
5000 |
||||
IR |
50 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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- IR2161
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2013-2-9IR2151S-半桥驱动器。劳在与RT阶段。可编程振荡频率。 1.2us死区时间在8引脚SOIC封装
特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •欠压锁定 •可编程振荡器频率1.4（逆转录75Ω）CT检查 •匹配的两个通道传播延迟 •低侧输出在第二阶段，用RT 说明 该IR2151是一种高电压，高速度，自激功率MOSFET和IGBT驱动器，带有两 高，低侧参考输出通道。专有HVIC和免疫技术的CMOS锁存使整体加固施工。前面高端功能的可编程振荡器类似于有555定时器。输出驱动器具
2013-2-9
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