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HEXMALE/FEMALESTANDOFFS

[KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS

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MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS

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Fieldbus,12Pr#18StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,600VTC-ER

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BELDENBelden Inc.

百通电缆设计科技有限公司

BELDEN

Thru-BoltsandMountingBrackets

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OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY

欧敏欧敏电阻制造公司

OHMITE

HighCurrentToroidInductors

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns
更新时间:2024-6-17 17:55:01
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    2019-12-2
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    2018-12-28
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    说明该IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368公司(J&S)的高votage,高速功率MOSFET与三个独立的高,低侧IGBT驱动器中引用3相应用程序的输出渠道。专有的HVIC技术使整体建筑加固。逻辑输入与CMOS兼容或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。一个电流脱扣功能,终止所有六个输出可从外部电流检测电阻。使能功能可终止所有六个输出同时进行。一个漏极开路的故障信号,表明提供过流或欠压关断发生。过流故障条件被清除后自动编程,通过一个外部RC网络的延迟连接到RCIN输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低

    2013-2-9
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    IR2117/IR2118(S)是一种高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术,让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容与标准CMOS输出。输出驱动器的功能专为高脉冲电流缓冲级最低跨导。浮动通道可以可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高或低侧配置经营至600伏特。特点•浮动通道引导操作设计完全运作,以600V容限来负瞬态电压的dV/dt的免疫•门极驱动电源电压范围从10至20V•欠压锁定•CMOS施密特触发输

    2012-11-13