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HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIR2109(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSor

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英飞凌英飞凌科技公司

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InfineonInfineon Technologies AG

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Description TheIR2109(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSor

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IR2109(4)(S)&(PbF)HALF-BRIDGEDRIVER

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更新时间:2024-6-19 15:28:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
SOIC-14
20540
保证进口原装现货假一赔十
IR
21+
SO-14
6880
只做原装,质量保证
Infineon Technologies
24+
14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
25031
英飞凌电源管理芯片-原装正品
IR
21+
SOP14
19000
全新原装现货
IR/INTERSIL
23+/24+
SO-14
9865
主营IR//英飞凌.终端BOM表可配单
IR
22+
DIP
10000
原装正品优势供应
INFINEON
20+
SOIC-14
1423
原装库存有订单来谈优势
INFINEON
21+
SOP-14
10000
全新原装公司现货
IR
21+
SOIC-14
10000
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票
INFINEON
23+
DIP14
8951
长期有货,价格优惠,欢迎来电咨询。

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    2020-11-9
  • IR2110

    IR2110,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-25
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    IR2111,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-21
  • IR2103-半桥驱动器

    说明在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠压锁定

    2013-2-9