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IR2106价格

参考价格：￥9.9688

型号：IR21064PBF 品牌：International 备注：这里有IR2106多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IR2106批发/采购报价，IR2106行情走势销售排行榜，IR2106报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IR2106

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2106/IR21064/IR2107/IR21074 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with

IRF

IR2106

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2106/IR21064/IR2107/IR21074 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with

IRF

IR2106

600 V 高边和低边栅极驱动器 IC

600 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC、14 引脚 SOIC 和 14 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围：10 至 20V\n• 欠压锁定\n• 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 输出与输入同相\n\n优势:;

INFINEON

英飞凌

IR2106

封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm） 包装：散装 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路（IC） 栅极驱动器

INFINEON

英飞凌

IR2106

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

文件：246.51 Kbytes Page：23 Pages

IRF

IR2106

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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INFINEON

英飞凌

IR21064

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2106/IR21064/IR2107/IR21074 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with

IRF

IR21064

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2106/IR21064/IR2107/IR21074 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with

IRF

IR21064S

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2106/IR21064/IR2107/IR21074 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with

IRF

IR21064S

600 V high-side and low-side gate driver IC with separate pin for logic ground

600 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 14 引脚 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 14 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC 和 8 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围：10 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 输出与输入同相\n\n优势:;

INFINEON

英飞凌

IR2106PBF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2106(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output chan nels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS o

IRF

IR2106S

600 V high-side and low-side gate driver IC

600 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP、14 引脚 SOIC 和 14 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围：10 至 20V\n• 欠压锁定\n• 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 输出与输入同相\n\n优势:;

INFINEON

英飞凌

IR2106S

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2106/IR21064/IR2107/IR21074 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with

IRF

IR2106SPBF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2106(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output chan nels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS o

IRF

IR2106STRPBF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2106(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or

IRF

IR2106_15

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IRF

IR21064

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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INFINEON

英飞凌

IR21064PBF

封装/外壳：14-DIP（0.300"，7.62mm） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP 集成电路（IC） 栅极驱动器

INFINEON

英飞凌

IR21064S

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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INFINEON

英飞凌

IR2106S

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

文件：246.52 Kbytes Page：23 Pages

INFINEON

英飞凌

TN2106

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input imped

SUTEX

UPG2106

L-BAND PA DRIVER AMPLIFIER

DESCRIPTION The µPG2106TB and µPG2110TB are GaAs MMIC for PA driver amplifier with variable gain function which were developed for PDC (Personal Digital Cellular in Japan) and another L-band application. The device can operate with 3.0 V, having the high gain and low distortion. The µPG2106TB is

NEC

瑞萨

UPG2106TB

L-BAND PA DRIVER AMPLIFIER

DESCRIPTION The µPG2106TB and µPG2110TB are GaAs MMIC for PA driver amplifier with variable gain function which were developed for PDC (Personal Digital Cellular in Japan) and another L-band application. The device can operate with 3.0 V, having the high gain and low distortion. The µPG2106TB is

NEC

瑞萨

VN2106

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan

SUTEX

VP2106

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impeda

SUTEX

IR2106产品属性

  • 类型

    描述

  • Product Status：

    active

  • Voltage Class：

    600 V

  • Output Current Source min：

    0.12 A

  • Output Current Source：

    0.2 A

  • Output Current Sink min：

    0.25 A

  • Output Current Sink：

    0.35 A

  • Channels：

    2

  • Configuration：

    High-side and low-side

  • Qualification：

    Industrial

  • Isolation Type：

    Functional levelshift

  • Switch Type：

    IGBT/MOSFET

  • Package name：

    PDIP8

  • UVLO Input Off：

    8.2 V

  • UVLO Output Off：

    8.2 V

  • Turn On Propagation Delay max：

    300 ns

  • Turn On Propagation Delay：

    220 ns

  • Turn Off Propagation Delay max：

    280 ns

  • Turn Off Propagation Delay：

    200 ns

  • Input Vcc min：

    10 V

  • Input Vcc max：

    20 V

  • Output Vbs min：

    10 V

  • Output Vbs max：

    20 V

  • Rise Time max：

    220 ns

  • Rise Time：

    150 ns

  • Fall Time max：

    80 ns

  • Fall Time：

    50 ns

  • UVLO Input On：

    8.9 V

  • UVLO Output On：

    8.9 V

IR2106供应商更多...

更新时间：2026-5-24 16:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市恒凯威科技开发有限公司
IR2106STRPBF
IR
21+
SO-8
6880
只做原装,质量保证
询价
深圳市恒达亿科技有限公司
IR2106STRPBF
INFINEON
25+
SOP8
6000
全新原装现货、诚信经营!
询价
深圳市中联芯电子有限公司
IR2106STRPBF
IR/INFINEON
25+
SOP-8
5715
只做原装 有挂有货 假一罚十
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
IR2106STRPBF
Infineon(英飞凌)
25+
SOIC-8
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
询价
深圳市金华微盛电子有限公司
IR21064
IR
2019+
DIP14
6700
原厂渠道 可含税出货
询价
深圳市勤思达科技有限公司
IR21064STRPBF
INFINEON
2024
SOP14
19000
全新原装正品,现货销售
询价
深圳市胜彬电子有限公司
IR2106STRPBF
IR
2038+
SOP8
8000
原装正品现货假一罚十
询价
深圳市中远芯科技有限公司
IR2106STRPBF
INFINEON/英飞凌
22+
SOP-8
141500
原装现货
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
IR2106STRPBF
INFINEON/英飞凌
25+
SOP-8
32000
INFINEON/英飞凌全新特价IR2106STRPBF即刻询购立享优惠#长期有货
询价
深圳市赛尔通科技有限公司
IR2106STRPBF
IR
23+
SOP-8
65400
询价

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IR2106规格书下载地址

IR2106参数引脚图相关

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    IR2110STRPBF

    2023-4-14

  • IR2104STRPBF

    IR2104STRPBF

    2021-8-9

  • IR2104STRPBF 原装代理现货 可追溯原厂含税出

    IR2104STRPBF 原装代理现货 可追溯原厂含税出

    2020-11-9

  • IR2110

    IR2110，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-25

  • IR2111

    IR2111，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-21

  • IR2103-半桥驱动器

    说明 在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定

    2013-2-9

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