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MRF21045	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF21045	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular ra	Motorola 摩托罗拉	Motorola
AGR21045EF	45 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET 文件：419.82 Kbytes Page：9 Pages	TriQuint	TriQuint

IR21045供应商更多...

更新时间：2025-12-26 23:01:01

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IR2103STRPBF
IR2103STRPBF
2023-4-14
IR2101STRPBF
SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , MP6528 门驱动器 , 1 Output 1 Driver 门驱动器 , SMD/SMT 门驱动器 , TSSOP-20 门驱动器
2021-9-10
IR2104STRPBF
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2021-8-9
IR2104STRPBF 原装代理现货可追溯原厂含税出
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2020-11-9
IR2110
IR2110，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-25
IR2103-半桥驱动器
说明在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定
2013-2-9