IR2102S价格

参考价格:¥6.3243

型号:IR2102SPBF 品牌:International 备注:这里有IR2102S多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IR2102S批发/采购报价,IR2102S行情走势销售排行榜,IR2102S报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IR2102S

HIGHANDLOWSIDEDRIVER

Description TheIR2101(S)/IR2102(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thelogicinputiscompatiblewithstandard

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IR2102S

HIGHANDLOWSIDEDRIVER

Description TheIR2101(S)/IR2102(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thelogicinputiscompatiblewithstandard

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IR2102S

HIGHANDLOWSIDEDRIVER

Description TheIR2101(S)/IR2102(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thelogicinputiscompatiblewithstandard

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IR2102S

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:散装 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

HIGHANDLOWSIDEDRIVER

文件:144.27 Kbytes Page:14 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

T-1SubminiatureLamps

T-1¾WireLead T-1¾MiniatureFlanged T-1¾MiniatureGrooved T-1¾MidgetScrew T-1¾Bi-Pin

GILWAY

Gilway Technical Lamp

GILWAY

SWITCH-MODETRANSFORMERGUIDE

CONSUMERPRODUCTS PulseoffersacompleterangeofSwitch-ModeTransformersinvarioustechnologies(slot,layerandtripleinsulationwire)usedforpowersuppliesintelevision,set-topboxes,satellitereceivers,DVDplayers,telephonechargers,andwhitegoods.Pulsealsooffersanewrangeo

pulse

Pulse Electronics

pulse

QUADPORTMODULE

文件:769.04 Kbytes Page:8 Pages

XFMRS

XFMRS,Inc.

XFMRS

Fieldbus,5Pr#18StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG

文件:256.68 Kbytes Page:3 Pages

BELDEN

Belden Inc.

BELDEN

HighCurrentToroidInductors

文件:111.85 Kbytes Page:1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

IR2102S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR2102S

  • 功能描述

    IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关

  • 系列

    -

  • 标准包装

    50

  • 系列

    -

  • 配置

    低端

  • 输入类型

    非反相

  • 延迟时间

    40ns 电流 -

  • 9A

  • 配置数

    1

  • 输出数

    1 高端电压 -

  • 最大(自引导启动)

    -

  • 电源电压

    4.5 V ~ 35 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA

  • 供应商设备封装

    TO-263

  • 包装

    管件

更新时间:2024-4-20 12:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
21+
10560
十年专营,原装现货,假一赔十
IR
20+
SOP
440
主营IR可含税只做全新原装正品现货
IR
23+
SOP-8
20540
保证进口原装现货假一赔十
IR
2023+
SOIC-8
53500
正品,原装现货
INFINEON/IR
1907+
NA
2500
20年老字号,原装优势长期供货
INFINEON
21+
SOP-8
10000
只做原装
Infineon(英飞凌)
23+
SOP-8
17048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
Infineon(英飞凌)
23+
SOP-8
21316
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
IR
2020+
SO-8
8000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR
24+
SOIC-8
10000
只做原装欢迎含税交易,假一赔十,放心购买

IR2102S芯片相关品牌

  • Altera
  • BILIN
  • Cree
  • ETC
  • HY
  • LUMILEDS
  • MOLEX2
  • OHMITE
  • RCD
  • spansion
  • TOKEN
  • VBSEMI

IR2102S数据表相关新闻

  • IR2103STRPBF

    IR2103STRPBF

    2023-4-14
  • IR1KIT红外线温度计

    温度计有一个瞄准激光器,温度范围从-4°F到+752°F

    2021-11-6
  • IR2101STRPBF

    SOT-23-5MOSFETGateDriversSMD/SMT门驱动器,SOT-23-5MOSFETGateDriversSMD/SMT门驱动器,MP6528门驱动器,1Output1Driver门驱动器,SMD/SMT门驱动器,TSSOP-20门驱动器

    2021-9-10
  • IR2104STRPBF

    IR2104STRPBF

    2021-8-9
  • IR2085S-高速,100V的,自振荡50%的占空比,半桥式驱动器

    说明该IR2085S是自激式半桥和50%占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC,其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组,其中fosc的≈1/(2*RT.CT)。死区时间可控制,通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度,并保持在整个上升周期开始的高,低产出的匹配。该IR2085S在启动后,每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。特点•简单的初

    2013-2-10
  • IR2103-半桥驱动器

    说明在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠压锁定

    2013-2-9