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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IR2102STR | 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器 | INFINEON 英飞凌 |   | |
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器 | INFINEON 英飞凌 | | ||
HIGH AND LOW SIDE DRIVER 文件：144.27 Kbytes Page：14 Pages | IRF | | ||
Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha | NTE | | ||
SYSTEM RESET IC 文件：314.14 Kbytes Page：11 Pages | NJRC 日本无线 | | ||
SYSTEM RESET IC 文件：314.14 Kbytes Page：11 Pages | NJRC 日本无线 | | ||
SYSTEM RESET IC 文件：314.14 Kbytes Page：11 Pages | NJRC 日本无线 | | ||
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IR2102STR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2102STR
- 功能描述
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 系列
-
- 标准包装
50
- 系列
-
- 配置
低端
- 输入类型
非反相
- 延迟时间
40ns 电流 -
- 峰
9A
- 配置数
1
- 输出数
1 高端电压 -
- 最大（自引导启动）
-
- 电源电压
4.5 V ~ 35 V
- 工作温度
-40°C ~ 125°C
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA
- 供应商设备封装
TO-263
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SOP-8 |
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IR2102STR规格书下载地址
IR2102STR参数引脚图相关
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2021-9-10IR2104STRPBF
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2021-8-9IR2085S-高速，100V的，自振荡50％的占空比，半桥式驱动器
说明 该IR2085S是自激式半桥和50％占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC，其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组，其中fosc的≈1 /（2 * RT.CT）。死区时间可控制，通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度，并保持在整个上升周期开始的高，低产出的匹配。该IR2085S在启动后，每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初
2013-2-10IR2103-半桥驱动器
说明 在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定
2013-2-9
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