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IR11662S	ADVANCED SMART RECTIFIER TM CONTROL IC Description IR11662 is a smart secondary-side driver IC designed to drive N-Channel power MOSFETs used as synchronous rectifiers in isolated Flyback and resonant half-bridge converters. The IC can control one or more paralleled N MOSFETs to emulate the behavior of Schottky diode rectifiers. The	IRF	IRF
IR11662SPBF	ADVANCED SMART RECTIFIER TM CONTROL IC Description IR11662 is a smart secondary-side driver IC designed to drive N-Channel power MOSFETs used as synchronous rectifiers in isolated Flyback and resonant half-bridge converters. The IC can control one or more paralleled N MOSFETs to emulate the behavior of Schottky diode rectifiers. The	IRF	IRF
IR11662STRPBF	ADVANCED SMART RECTIFIER TM CONTROL IC Description IR11662 is a smart secondary-side driver IC designed to drive N-Channel power MOSFETs used as synchronous rectifiers in isolated Flyback and resonant half-bridge converters. The IC can control one or more paralleled N MOSFETs to emulate the behavior of Schottky diode rectifiers. The	IRF	IRF
IR11662S	Secondary side high speed SR controller 文件：669.64 Kbytes Page：26 Pages	IRF	IRF
MAX11662	500ksps, Low-Power, Serial 12-/10-/8-Bit ADCs 文件：2.23562 Mbytes Page：28 Pages	Maxim 美信	Maxim

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更新时间：2025-12-26 23:00:01

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IQS323001CSR
IQS323001CSR
2023-7-3
IR1KIT红外线温度计
温度计有一个瞄准激光器，温度范围从 -4°F 到 +752°F
2021-11-6
IQXC-42超小型表面贴装石英晶体LFXTAL059585REEL
IQD IQXC-42 表面贴装石英晶体的频率范围在 16.0 MHz 至 50 MHz 之间
2019-11-21
IQXO-79x系列表面贴装时钟振荡器LFSPXO056289REEL
IQD的IQXO-79x系列表面贴装时钟振荡器提供3.3 V或1.8 V电压
2019-11-21
IR1175-同步整流驱动
特点提供恒定的和适当的栅极驱动电源不论MOSFET的变压器输出最大限度地减少损失功率MOSFET体漏极二极管的导通单机操作 - 初级端没有任何联系双脉冲抑制施密特触发输入允许在嘈杂的环境中运行高电流驱动能力 - 2A型高速运转 - 2MHz的适应多种拓扑结构，如单端（未来，双端进）说明该IR1175是一款高速CMOS控制器设计以驱动N沟道功率MOSFET的使用为同步在大电流，高频率整流器前进转换器具有等于或低于5V直流
2013-3-2
IR1210-双低侧驱动器
IR1210是一个低电压，高速动力MOSFET和IGBT驱动器。专有闩锁免疫CMOS技术，让坚固耐用的单片建设。逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，设计最小驱动器跨导。传播两个通道之间的延迟匹配。特点 •门极驱动电源电压范围从6至20V •CMOS施密特触发输入上拉 •为两个通道相匹配的传播延迟 •输出与输入相
2012-11-14