HER101芯片数据手册统懋原装现货专卖MOSPEC-IC资料网

登录注册

芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
HER101	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(1.0A,50-400V) Switchmode Power Rectifiers HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS 1.0 AMPERES 50 -- 400 VOLTS	MOSPEC 统懋	MOSPEC
TIP101	DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60– 80– 100 VOLTS 80 WATTS . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain —hFE= 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
UPG101P	WIDE BAND AMPLIFIER CHIPS DESCRIPTION PPG100P and PPG101P are GaAs integrated circuits designed as wide band amplifiers. Both devices are available in chip form. PPG100P is low noise amplifier from 50 MHz to 3 GHz and PPG101P is a medium power amplifier in the same frequency band. These devices are most suitable for the	NEC 瑞萨	NEC
LM101A	Operational Amplifiers 文件：509.25 Kbytes Page：17 Pages	NSC 国半	NSC
LM101AH	Operational Amplifiers 文件：509.25 Kbytes Page：17 Pages	NSC 国半	NSC

IR101A供应商更多...

更新时间：2026-5-23 23:00:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	HER101-T	DIODES(美台)	25+	-	6843	样件支持,可原厂排单订货!	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	HER101-T	DIODES(美台)	25+	-	6895	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	HER101G	YJ	19+		10000	原装现货支持BOM配单服务	询价
深圳市讯顺达科技有限公司	HER101G	扬杰	25+	DO-41	10000	扬杰原厂一级代理商,价格优势!	询价
深圳市一线半导体有限公司	HER101G	HYGROUP台产	24+	DO-41	50000		询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司	HER101	MIC	26+	原厂原封装	86720	全新原装正品价格最实惠假一赔百	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	HER101G	LRC	23+	DO-41	8835	专注配单,只做原装进口现货	询价
富凯科技(深圳）有限公司	HER101G	YANGJIE/扬杰科技	24+	DO-41	8000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HER101G	LRC	22+	DO-41	8835	原装现货	询价
浙江永芯科技有限公司	HER101G	YANGJIE	24+	DO-41	50000	原厂直销全新原装正品现货欢迎选购	询价

IQS323001CSR
IQS323001CSR
2023-7-3
IR1KIT红外线温度计
温度计有一个瞄准激光器，温度范围从 -4°F 到 +752°F
2021-11-6
IQXC-42超小型表面贴装石英晶体LFXTAL059585REEL
IQD IQXC-42 表面贴装石英晶体的频率范围在 16.0 MHz 至 50 MHz 之间
2019-11-21
IQXO-79x系列表面贴装时钟振荡器LFSPXO056289REEL
IQD的IQXO-79x系列表面贴装时钟振荡器提供3.3 V或1.8 V电压
2019-11-21
IR1175-同步整流驱动
特点提供恒定的和适当的栅极驱动电源不论MOSFET的变压器输出最大限度地减少损失功率MOSFET体漏极二极管的导通单机操作 - 初级端没有任何联系双脉冲抑制施密特触发输入允许在嘈杂的环境中运行高电流驱动能力 - 2A型高速运转 - 2MHz的适应多种拓扑结构，如单端（未来，双端进）说明该IR1175是一款高速CMOS控制器设计以驱动N沟道功率MOSFET的使用为同步在大电流，高频率整流器前进转换器具有等于或低于5V直流
2013-3-2
IR1210-双低侧驱动器
IR1210是一个低电压，高速动力MOSFET和IGBT驱动器。专有闩锁免疫CMOS技术，让坚固耐用的单片建设。逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，设计最小驱动器跨导。传播两个通道之间的延迟匹配。特点 •门极驱动电源电压范围从6至20V •CMOS施密特触发输入上拉 •为两个通道相匹配的传播延迟 •输出与输入相
2012-11-14