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IPZ60R060C7 | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.30251 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IPZ60R060C7 | CoolMOS™ C7超级结 MOSFET 在 PFC 和 LLC 拓扑结构内可提供最佳性能 | Infineon 英飞凌 | | |
N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.49 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.75 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.1593 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：244.48 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
CoolMOS??C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 文件：1.3995 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon/英飞凌 |
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PG-TO247-4 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
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原装正品现货支持实单 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-4 |
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原装正品，支持实单 |
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