位置：首页 > IC中文资料 > IIPW60R060C7
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IIPW60R060C7 | N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.75 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.49 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.1593 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：244.48 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
CoolMOS??C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 文件：1.3995 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ST |
25+ |
VFLGA-12221 |
16900 |
原装，请咨询 |
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ST |
21+ |
QFN |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ST意法 |
20+ |
LGA12 |
17000 |
加速度计,只做全新原装 |
|||
IOR |
23+24 |
SIP |
9860 |
原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税 |
|||
ST |
24+ |
LAG12 |
10000 |
低于市场价,实单必成,QQ1562321770 |
|||
IR |
22+ |
DIP |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
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ST |
2511 |
VFLGA-12221 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
IIPW60R060C7规格书下载地址
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制造商零件编号 IHW30N160R2FKSA1 Manufacturer Or OEM Infineon Technologies 描述 IGBT 1600V 60A 312W TO247-3 说明 IGBT NPT，沟槽型场截止 1600V 60A 312W 通孔 PG-TO247-3 对无铅/(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级（MSL） 1（无限） 最低订购数量 240 标准包装
2020-12-14
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