IPZA65R029CFD7

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 69 A

Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 145 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 305 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

产品类型: MOSFET

240

子类别: MOSFETs

零件号别名: IPZA65R029CFD7 SP005413356