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芯片资料

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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IPU12N03LBG	OptiMOS짰2 Power-Transistor OptiMOS®2 Power-Transistor Package Marking • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant	Infineon 英飞凌	Infineon
EMB12N03A	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 12mΩ ID 25A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
12N03	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.82632 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
12N03L	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01591 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
12N03L.	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.51 Kbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
B12N03	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET 文件：327.69 Kbytes Page：8 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC

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更新时间：2025-12-29 12:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿智腾科技有限公司	IPU135N03LG	Infineon Technologies	24+	原装	5000	原装正品,提供BOM配单服务	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IPU12N03LKIA30N03	JINGDAO/晶导微	23+	SMBF	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IPU12N03LKIA30N03	INFINEON/英飞凌	23+	TO-251	27550	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPU12N03LBG	INFINEON	23+	TO-251	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	IPU135N03LG	INFINEON/英飞凌	23+	TO-251	11220	英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。	询价
深圳市能元时代电子有限公司	IPU12N03LKIA30N03	原装正品	23+	TO-251	21523	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
深圳市一线半导体有限公司	IPU135N03LG	INFINEON	24+	I-Pak	8866		询价
深圳市华来深电子有限公司	IPU12N03LKIA30N03	INFINE0N	23+	TO-251	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IPU135N03LG	INFINEON	21+	TO-251	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IPU135N03L	Infineon	TO-251-3	22+	6000	十年配单,只做原装	询价

IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装
2022-10-27
IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18
IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11
IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20
IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9
IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位
2012-11-14