| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Power Filed Effect Transistor FEATURES ● Robust High Voltage Termination ● Avalanche Energy Specified ● Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ● Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ● IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature | JIANGSU 长电科技 |   | ||
SIPMOS Power Transistor Features • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated | INFINEON 英飞凌 | | ||
SIPMOS Power Transistor Features • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated | INFINEON 英飞凌 | | ||
SIPMOS횘 Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated 文件：830.68 Kbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
SIPMOS횘 Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated 文件：830.68 Kbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
infineon |
1415+ |
TO-252(DPAK) |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
|||
INFINEON |
20+ |
TO-252 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
90000 |
全新原装现货 |
|||
INFINEON |
25+ |
TO-252 |
6000 |
公司渠道现货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
??? |
2023+ |
3000 |
进口原装现货 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-252D-PAK |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
|||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
INFINEO |
25+ |
TO-252 |
742 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
IPU07N20芯片相关品牌
IPU07N20规格书下载地址
IPU07N20参数引脚图相关
- kse13005
- ks20
- km710
- ka5q1265rf
- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- irf630
- irf540n
- irf540
- ir2110
- IPX8AH
- IPX185
- IPX184
- IPX182
- IPX0DW
- IPX0DS
- IPX0DM
- IPX0DH
- IPX0CW
- IPX0CS
- IPX0CM
- IPX0CH
- IPX0BW
- IPX0BS
- IPX0BM
- IPX0BH
- IPX0AW
- IPX0AS
- IPX0AM
- IPX0AH
- IPU105N03LGXK
- IPU105N03LG
- IPU105N03L
- IPU103N08N3GXK
- IPU103N08N3G
- IPU103N08N3
- IPU100-108
- IPU09N03LBGXK
- IPU09N03LBG
- IPU09N03LB
- IPU09N03LAGXK
- IPU09N03LAG,1N5819M,TPS62172DSGR
- IPU09N03LAG
- IPU09N03LA
- IPU09N03L
- IPU09N03
- IPU090N03LGXK
- IPU090N03LG
- IPU090N03L
- IPU07N60S5
- IPU07N03LAG
- IPU07N03LA
- IPU07N03L
- IPU075N03LG
- IPU075N03L
- IPU06N05
- IPU06N04
- IPU06N03LZGXK
- IPU06N03LZG
- IPU06N03LZ
- IPU06N03LT
- IPU06N03LBGXK
- IPU06N03LBG
- IPU06N03LB
- IPU06N03LAGXK
- IPU06N03LAG
- IPU06N03LA
- IPU06N03L
- IPU06N03A
- IPU06N03
- IPT66
- IPT3115
- IPT2602
- IPT2601
- IPT0118
- IPS-ZX
- IPS-XPS
- IPS-XLC
- IPSUAT
- IPSSAT
- IPS-PS3
- IPSPLT
- IPS-M12
- IPSLUAT
- IPSLU
- IPSLAT
- IPS-DDK
- IPSAT
- IPS7091
- IPS7081
IPU07N20数据表相关新闻
IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装
2022-10-27IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位
2012-11-14
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
- P108
- P109
- P110
