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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
ISPD02N60S5	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Ultra low effective capacitance • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤3Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation	ISC 无锡固电	ISC
ISPP02N60S5	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitance • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤3Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance an	ISC 无锡固电	ISC
02N60S5	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.68505 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
02N60S5	Power MOSFET 文件：1.67706 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
02N60S5	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.71684 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

IPU02N60S5供应商更多...

更新时间：2025-12-27 20:00:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	ISPPAC10-01PI	LATTICE(莱迪思)	24+	PDIP-28	1	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	ISPPAC10-01SI	LATTICE/莱迪斯	24+	SOP28	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	ISPPAC10-01PI	Lattic	25+		25000	原厂原包深圳现货主打品牌假一赔百可开票!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	ISPPAC10-01SI	LATTICE	25+23+	SOP28	34204	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市福田区绿盛电子商行	ISPPAC10-01PI	LATTICE	2015+	DIP	19889	一级代理原装现货,特价热卖!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	ISPPAC1001PI	LATTICE	20+	DIP	19570	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ISPP1184	PHI	23+	BGA	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	ISPPAC10-01PI	LATTICE	23+	DIP-28P	5800	绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购!	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	ISPPAC10-01PI	LATTICE	25+	标准封装	18000	原厂直接发货进口原装	询价
深圳市东来宝电子科技有限公司	ISPPAC10-01SI	LATTICE/莱迪斯	24+	SOP28	54000	郑重承诺只做原装进口现货	询价

IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装
2022-10-27
IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18
IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11
IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20
IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9
IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位
2012-11-14