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02N60S5

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
02N60S5

PowerMOSFET

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VBSEMI
02N60S5

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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N-Channel650V(D-S)MOSFET

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N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformancean

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-7-22 9:22:00
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