型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPT2008-DEB

High current density due to double mesa technology

文件:209.67 Kbytes Page:4 Pages

IPS

2008 Panel Builders Pressure Gauge

FEATURES „ 3-hole front flange welded case „ PowerFlex™ movement provides superior resistance to shock, vibration and pulsation „ TrueZero™ reduces reading errors by using a “zero box” instead of conventional dial pins ensuring product safety, integrity and system control „ MSL helium leak tes

ASHCROFT

雅斯科

Crimp Application Tool for 2006S, 2008S, 2011S, and Terminal end lugs

Features  Patented design ensures even compression and reliable connections Description Crimp Application Tool for 2006S,2008S,2011S, and Terminal end lugs

IDEAL-INDUSTRIES

Floor box system: 2008A

文件:274.07 Kbytes Page:1 Pages

BURLAND

Floor box system: 2008B

文件:260.04 Kbytes Page:1 Pages

BURLAND

Floor box system: 2008Q

文件:646.16 Kbytes Page:1 Pages

BURLAND

IPT2008-DEB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPT2008-DEB

  • 制造商

    IPS

  • 制造商全称

    IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.

  • 功能描述

    High current density due to double mesa technology

更新时间:2025-10-4 11:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
24+
PG-HSOF-8
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
Infineon(英飞凌)
2511
PG-HSOF-8
9550
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
INFINEON/英飞凌
23+
H-PSOF-8-1
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
Infineon
23+
PG-HSOF-8
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
INFINEON/英飞凌
23+
H-PSOF-8-1
8000
只做原装现货
Infineon(英飞凌)
2447
PG-HSOF-8
315000
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
INFINEON/英飞凌
23+
H-PSOF-8-1
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon/英飞凌
2021+
PG-HSOF-8
9600
原装现货,欢迎询价
Infineon(英飞凌)
24+
PG-HSOF-8
6000
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
Infineon/英飞凌
24+
PG-HSOF-8
8000
只做原装,欢迎询价,量大价优

IPT2008-DEB数据表相关新闻

  • IPS1025HFQ 高压侧开关

    STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装

    2022-10-27
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPW60R080P7

    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-20
  • IPW60R060P7

    IPW60R060P7

    2019-7-9
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位

    2012-11-14