型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

OptiMOS짰2Power-Transistor

OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

OptiMOS짰2Power-Transistor

OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPSH9N03LAGXK产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPSH9N03LAGXK

  • 制造商

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-251

更新时间:2024-5-11 16:18:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
1735+
TO251-3
6528
科恒伟业!只做原装正品!假一赔十!
INFINEON-英飞凌
24+25+/26+27+
TO-251-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
INFINEON
23+
D2-PAK5-LEAD
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
INFINEON
23+
TO-251
8000
只做原装现货
INFINEON/英飞凌
2022+
TO-251
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
INFINEON
23+
D2-PAK5-LEAD
6000
原装正品,支持实单
INFINEON/英飞凌
23+
TO-251
10000
公司只做原装正品
INFINEON
08+(pbfree)
TO251-3
8866
INFINE0N
23+
TO-251
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
INFINEON
23+
TO-251
21585
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

IPSH9N03LAGXK芯片相关品牌

  • Allegro
  • ETC1
  • HP
  • IVO
  • LEM
  • MILL-MAX
  • Samsung
  • SII
  • SynQor
  • TOSHIBA
  • Vectron
  • Winchester

IPSH9N03LAGXK数据表相关新闻

  • IPS1025HFQ 高压侧开关

    STMicroelectronics采用M0T5VIPower技术的单片架构采用了QFN48L封装

    2022-10-27
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPW60R080P7

    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-20
  • IPW60R060P7

    IPW60R060P7

    2019-7-9
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位

    2012-11-14