型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPS12N03LBG

OptiMOS짰2Power-Transistor

OptiMOS®2Power-Transistor Package Marking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)12mΩ ID25A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)12mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:1.82632 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

IPS12N03LBG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPS12N03LBG

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    OptiMOS㈢2 Power-Transistor

更新时间:2024-6-1 16:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
infineon
2016+
TO-251
6528
房间原装进口现货假一赔十
INFINEON
08+(pbfree)
IPAKSL(TO-251SL)
8866
MOLEX
2332+
320680
一级代理,原装正品!
INFINEON-英飞凌
24+25+/26+27+
TO-251-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IRISO
2410+
NA
9000
十年芯路!只做原装!一直起卖!
INFINEON
TO-251
68900
原包原标签100%进口原装常备现货!
INF
23+
TO-251
7000
原装正品,假一罚十
INFINEON/英飞凌
22+
TO251-3
93154
Infineon
23+
TO251-3
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
infineo
2020+
TO-251
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

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    2022-10-27
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPW60R080P7

    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-20
  • IPW60R060P7

    IPW60R060P7

    2019-7-9
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位

    2012-11-14